2025年4月24日，CSE组委会和充电头网联合举办的2025第三代半导体机器人快充新技术研讨会顺利落幕，本次研讨会邀请到英嘉通营销副总白强带来精彩演讲。

  本次研讨会中，白强借助《750V SiC MOS：消费级应用的新选择》为主题，携750V全系列SiC功率器件亮相本次研讨会会，并以6大产品的优点为650V消费类市场注入全新的选择，同时也带来65W SiC PD快充行业首发。

  白强表示，第三代半导体器件SiC和GaN在高频、高功率场景中表现更优，已经全面渗透消费级、工业级以及车规级市场，成为市场的主流选择之一。

  SiC MOS主要以平面型和沟槽型两种结构，目前国内以平面型为主，部分海外企业有差异化的沟槽型器件。

  与Si垂直结构不同，GaN器件以水平结构为主。E-mode器件主要是采用p-type gate技术，而D-mode器件需与低压Si MOS组成Cascode实现增强型工作模式。

  白强在此表示，2029年SiC市场预计可达100亿美金，占整个功率市场的器件1/3，且精确指出电动汽车应用在SiC市场占据主导地位。而2009年GaN市场规模相对略低，为20亿美金。但两者均有广泛的未来市场发展的潜力，会向更多应用场景渗透。

  现今，随技术优势、产能优势以及市场需求的变化，SiC器件打破以往更适合千伏高压应用的传统印象，逐步向中高压消费级应用市场扩展，同时随英嘉通全面推出750V SiC MOS，为市场提供更多选择。

  目前英嘉通发布8款750V SiC MOS，导阻覆盖60mΩ-2Ω，并提供DFN、TO、裸片等多种封装规格，为客户提供更多选择。

  相较于GaN，SiC器件具耐高温特性，相比GaN和Si MOS，SiC MOS在125℃时导阻减少40%，同时还兼具更小的器件尺寸、性能与成本优势。因此英嘉通推荐以×1.5倍的方式选择替换Si MOS和GaN方案。

  英嘉通750V SiC MOS击穿电压超 50V，比 D-GaN、E-GaN 产品更安全，能避免耐压过量设计，降低成本。

  GaN材料1在软开关条件下全电压动态特性良好，材料2在低压段动态电阻问题大但高压段较优，可见GaN在高压硬开关及CCM模式应用上存在比较大挑战，而SiC MOS没有动态电阻问题。

  SiC MOS器件通过设计能应对超过 15μs 的短路时间，而GaN 器件在短路能力上面临很大挑战。其中，英嘉通750V SiC MOS 系列短路时间设计值为2.5μs，是在性能和应用需求之间权衡后的结果，从芯片结构图和输出特性曲线还进一步说明其短路耐受能力及工作特性。

  目前，SiC产业逐步成熟，促使晶圆成本下降，英嘉通750V SiC产品对比GaN产品在成本品质因数上具优势，且在等效规格下，Si 产出相比GaN、CoolMOS、VDMOS都有显著提升，彰显其成本竞争力。

  通过对GaN-on-Si、GaN-on-QST、GaN-on-Sapphire和SiC的缺陷密度，可见SiC缺陷密度相比硅基氮化镓低6个数量级，相比蓝宝石基氮化镓低4个数量级。其已大范围的应用于工业级、车规级领域，且具备与VDMOS相似的应用特性，如雪崩能力等，在应用上更可靠。

  英嘉通基于YJT 750V 300mohm SiC开发65W PD快充系统，在18V开启，0V关断条件下，波形干净，且和硅MOS一样，开关速度通过栅极电阻可调。另外，对比英嘉通自家GaN器件在效率、满载温度方面均有优势。

  英嘉通计划25年Q4季度在6英寸晶圆量产750V 60-1200mΩ消费级SiC产品，并计划26年Q1季度在8英寸晶圆量产上述产品，以扩大生产规模，提升产品竞争力。

  白强表示，D-GaN适用于中高压场景，需搭配低压硅MOS，封装复杂度较高；E-GaN适合低压应用，具有双向器件优势，但高压场景性能不足；SiC MOS以高温特性、高可靠性和超高的性价比著称，消费级应用需要控制器支持。英嘉通计划通过综合运用这三种技术，推动技术革新，满足多种客户需求。

  英嘉通主推器件大致上可以分为氮化镓功率器件、碳化硅功率器件、氮化镓射频器件三类，分别在PD快充、适配器、移动储能、锂电保护等多个领域批量出货。

  英嘉通半导体有限公司成立于2019年2月，位于深圳南山区科技园和苏州相城区高铁新城。公司组建了一支由华为、中兴、国内外知名公司工作多年的团队，在第三代半导体领域深耕十多年，具有坚实的芯片设计能力及丰富的半导体产品营销售卖经验。

  英嘉通半导体主要聚焦第三代半导体的研发和销售，基本的产品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射频器件等。产品应用于消费、工业和汽车等领域。国家高新技术企业，苏州潜在独角兽企业，江苏省双创企业，广东省科技进步二等奖等荣誉。累计获得专利等知识产权100多项。

  英嘉通功率器件家族包括D-GaN、E-GaN和SiC，大范围的应用在PD快充、适配器、储能和数据中心等领域，具有高功率密度、高效率、低成本、低待机功耗等特点，公司种类齐全，客户选择多多。

  以上便是以上便是英嘉通750V SiC MOS：消费级应用的新选择主题演讲的全部内容，感谢您的阅读！