近来，电子科技大学集成电路科学与工程学院功率集成技能实验室教授明鑫研讨小组在《IEEE固态电路杂志》宣布了在低压差线性稳压器（LDO）范畴关于低功耗-快速瞬态技能的突破性研讨成果。

  该项技能可显着提高智能手机和无人机等高速摄影功能，运用先进的负载电流收回和有源钳位操控架构，静态功耗仅为8.2A，可一起处理高低频负载瞬态跳变，将LDO瞬态品质因数紧缩至41ps，初次完成大电流LDO业界最快高频跳载才能。

  移动设备一般都会选用锂电池级联多路Buck变换器+LDO的点式供电架构，Buck用于高效率降压，而LDO将Buck输出纹波电压转换为安稳供电电源。LDO规划面对要害的应战是，关于Flash Memory等输入电压较低、负载电流比较大的使用，LDO一般会用N型功率管来减小芯片面积和优化瞬态功能。因为NMOS-LDO特有的驱动死区问题，高频负载跳变会显着恶化瞬态功能；一起，LDO的静态功耗需求最小化以延伸电池运用时间，然而对低功耗的寻求恶化了LDO的瞬态、电源按捺比等要害功能。

  根据上述应战，研讨小组研讨规划了一种静态电流收回、近零驱动死区的LDO操控架构，提出跨导增强MOS的全新缓冲器架构，在有用驱动功率管栅电容的一起，静态功耗彻底被负载收回；有源钳位电路用于在输出电压过冲时，快速准确钳位差错放大器的输出电压下限，将LDO驱动死区减小为近零状况。

  凭借上述技能，规划LDO在仅耗费8.2A的条件下，完成了41ps的品质因数，一起高频瞬态时的输出电压动摇较低频瞬态比较仅增加了40%。和世界先进研讨水平比较，在高速低功耗呼应上有着十分显着优势。（来历：我国科学报 杨晨）